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CZ-3706	文件：916.35 Kbytes Page：16 Pages	Clearance/Creepage8mm60ArmsAccurateCorelessCurrentSensor	AKMAsahi Kasei Microsystems 旭化成微电子旭化成微电子株式会社	AKM
FDD3706	文件：113.52 Kbytes Page：5 Pages	20VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON),fastswitchingspeedandextremelylowRDS(O	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD3706	文件：299.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=14.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=20V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD3706	文件：824.99 Kbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=-20V,ID=-100A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDU3706	文件：113.52 Kbytes Page：5 Pages	20VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON),fastswitchingspeedandextremelylowRDS(O	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FKQ3706	文件：571.8 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch30VFastSwitchingMOSFETs Description TheFKQ3706isthehighperformance complementaryN-chMOSFETswithhighcell density,whichprovidesexcellentRDSONand efficiencyformostofthesmallpowerswitching andloadswitchapplications. TheFKQ3706meettheRoHSandGreenProduct requirementwithfullfunctionrel	FETEKFETek Technology Corp. 台湾东沅东沅科技股份有限公司	FETEK
IRF3706	文件：145.8 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=20V,Rds(on)max=8.5mohm,Id=77A) VDSS20V RDS(on)max8.5mΩ ID=77A Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialUse ●HighFrequencyBuckConvertersforComputerProcessorPower Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Fu	IRF International Rectifier	IRF
IRF3706L	文件：145.8 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=20V,Rds(on)max=8.5mohm,Id=77A) VDSS20V RDS(on)max8.5mΩ ID=77A Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialUse ●HighFrequencyBuckConvertersforComputerProcessorPower Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Fu	IRF International Rectifier	IRF
IRF3706LPBF	文件：365.97 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencyDC-DCIsolatedConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialUse VDSS20V RDS(on)max8.5mΩ ID=77A Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialUse ●HighFrequencyBuckConvertersforComputerProcessorPower ●Lead-Free Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4	IRF International Rectifier	IRF
IRF3706PBF	文件：365.97 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencyDC-DCIsolatedConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialUse VDSS20V RDS(on)max8.5mΩ ID=77A Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialUse ●HighFrequencyBuckConvertersforComputerProcessorPower ●Lead-Free Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4	IRF International Rectifier	IRF

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