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FDB12N50	文件：366.6 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Features •RDS(on)=0.55Ω(Typ.)@VGS=10V,ID=6A •Lowgatecharge(Typ.22nC) •LowCrss(Typ.12pF) •Fastswitching •100avalan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB12N50	文件：438.39 Kbytes Page：8 Pages	OptimizedSwitchforDiscontinuousCurrentModePowerFactorCorrection	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB12N50	文件：331.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDB12N50F	文件：597.28 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET,FRFET500V,11.5A,0.7廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB12N50F	文件：1.10795 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDB12N50F	文件：331.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDB12N50TM	文件：366.6 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Features •RDS(on)=0.55Ω(Typ.)@VGS=10V,ID=6A •Lowgatecharge(Typ.22nC) •LowCrss(Typ.12pF) •Fastswitching •100avalan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB12N50TM	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB12N50TM	文件：331.73 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDB12N50U	文件：638.49 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET,FRFET500V,10A,0.8廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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