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SiliconNPNtriplediffusionplanartype(Forpoweramplification) SiliconNPNtriplediffusionplanartype Forpoweramplification ■Features •HighforwardcurrenttransferratiohFEwhichhassatisfactorylinearity •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat) •Full-packpackagewhichcanbeinstalledtotheheatsinkwithonescrew | PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器 | Panasonic | ||
SiliconNPNtriplediffusionplanartype(Forpoweramplification) SiliconNPNtriplediffusionplanartype Forpoweramplification ■Features •HighforwardcurrenttransferratiohFEwhichhassatisfactorylinearity •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat) •Full-packpackagewhichcanbeinstalledtotheheatsinkwithonescrew | PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器 | Panasonic | ||
HI-SPEED12-BITD/ACONVERTER | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 | NSC | ||
HI-SPEED12-BITD/ACONVERTER | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 | NSC | ||
HI-SPEED12-BITD/ACONVERTER | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 | NSC | ||
HI-SPEED12-BITD/ACONVERTER | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 | NSC | ||
HI-SPEED12-BITD/ACONVERTER | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 | NSC | ||
NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorUHFtoXBandLow-NoiseAmplifierandOSCApplications NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features •Highcut-offfrequency:fT=24GHztyp(VCE=3V). •Lowoperatingvoltage. •Highgain:⏐S21e⏐2=17dBtyp(f=2GHz). •Halogenfreecompliance(UL94HB). | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社 | SANYO | ||
TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●GeneralPurposeSwitchingApplication ●ComplementarytoFTC3198. | FS First Silicon Co., Ltd | FS | ||
PNPSILICONTRANSISTOR | HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 华汕电子器件汕头华汕电子器件有限公司 | Huashan |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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