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ENP-360	文件：97.9 Kbytes Page：4 Pages	360WLevelVIDesktopTypePowerSupply	MEANWELLMean Well Enterprises Co., Ltd. 明纬电子明纬（广州）电子有限公司	MEANWELL
EVAL-ADuCM360QSPZ	文件：525.74 Kbytes Page：24 Pages	LowPower,PrecisionAnalogMicrocontrollerwithDualSigma-DeltaADCs,ARMCortex-M3	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
F-360U	文件：48.01 Kbytes Page：1 Pages	ChassisMount:Universal	TRIAD TRIAD MAGNETICS	TRIAD
FCN360	文件：1.69397 Mbytes Page：33 Pages	RECTANGULARCONNECTORS	FujitsuFujitsu Component Limited. 富士通富士通株式会社	Fujitsu
FDN360	文件：231.67 Kbytes Page：8 Pages	SingleP-ChannelPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductoradvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance.Thesedevicesarewellsui	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDN360	文件：376.95 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelMOSFET Features Lowgatecharge(6.2nCtypical) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowRDS(ON). HighpowerversionofindustryStandardSOT-23package. higherpowerhandlingcapability. VDS(V)=-30V D=-2A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDN360P	文件：231.67 Kbytes Page：8 Pages	SingleP-ChannelPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductoradvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance.Thesedevicesarewellsui	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDN360P	文件：259.11 Kbytes Page：7 Pages	SingleP-Channel,PowerTrenchMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDN360P	文件：376.95 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelMOSFET Features Lowgatecharge(6.2nCtypical) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowRDS(ON). HighpowerversionofindustryStandardSOT-23package. higherpowerhandlingcapability. VDS(V)=-30V D=-2A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDN360P	文件：618.69 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel2.5V(D-S)MOSFET GeneralDescription Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltageand batterypoweredapplicationswherelowin-linepower lossandfastswitchingarerequired. Features Lowgatecharge(6.2nCtypical) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowRDS(ON). Highpowerversionofi	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI

详细参数

型号：
CRC360J
制造商：
CORNELL DUBILIER ELECTRONICS
功能描述：
Cap Ceramic 36pF 2000V C0G 5%(12 X 5mm) Radial 6.4mm 125°C

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