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DL-601LSLASHR	文件：56.44 Kbytes Page：1 Pages	MicrowaveComponents	HOKURIKUHOKURIKU ELECTRIC INDUSTRY CO.,LTD 北陆电气工业日本北陆电气工业柱式会社	HOKURIKU
DL-601R	文件：56.44 Kbytes Page：1 Pages	MicrowaveComponents	HOKURIKUHOKURIKU ELECTRIC INDUSTRY CO.,LTD 北陆电气工业日本北陆电气工业柱式会社	HOKURIKU
DMN601DMK	文件：130.229 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR DescriptionandApplications ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. •DC-DCConverters •PowerManagementFunctions •AnalogSwitch Fea	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN601DMK	文件：205.1 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN601DWK	文件：131.43 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on)),yetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. •MotorControl •PowerManagementFunctions FeaturesandBenefits •DualN-Chann	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN601DWKQ	文件：579.57 Kbytes Page：7 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features DualN-ChannelMOSFET LowOn-Resistance LowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage Ultra-SmallSurfaceMountPackage ESDProtected TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimony	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN601K	文件：272.76 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance:RDS(ON) •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •ESDProtectedUpTo2kV •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qu	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN601K	文件：191.82 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN601TK	文件：272.47 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON)),yetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. •MotorControl •PowerManagementFunctions FeaturesandBenefits •LowOn-Resis	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN601TK	文件：141.83 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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详细参数

型号：
CRA601D
制造商：
KOA
制造商全称：
KOA Speer Electronics, Inc.
功能描述：
cr networks

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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