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V12PM12

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode:baseP/

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

V12PM12

Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

CR1510-06

IWATT
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艾瓦特

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CR2LS-30

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