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CQY37N_V02	文件：280.7 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs DESCRIPTION CQY37Nisaninfrared,950nmemittingdiodeinGaAs technologymoldedinaminiature,clearplasticpackagewith lens. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:T-¾ •Dimensions(inmm):Ø1.8 •Peakwavelength:p=950nm •Highreliability •Angleofhalfintensit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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CQY37N_V02

文件：280.7 Kbytes

Page：5 Pages

Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs

DESCRIPTION CQY37Nisaninfrared,950nmemittingdiodeinGaAs technologymoldedinaminiature,clearplasticpackagewith lens. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:T-¾ •Dimensions(inmm):Ø1.8 •Peakwavelength:p=950nm •Highreliability •Angleofhalfintensit

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更多CQY37N_V02供应商更新时间2025-5-19 18:29:00

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