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IIRFR3710Z	文件：335.72 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤18mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IR3710MTRPBF	文件：2.4413 Mbytes Page：20 Pages	WIDEINPUTANDOUTPUT,SYNCHRONOUSBUCKREGULATOR	IRF International Rectifier	IRF
IR3710MTRPBF	文件：2.28451 Mbytes Page：20 Pages	WIDEINPUTANDOUTPUT,SYNCHRONOUSBUCKREGULATOR	IRF International Rectifier	IRF
IRDC3710-DF	文件：726.33 Kbytes Page：13 Pages	USERGUIDEFORIRDC3710-DFEVALUATIONBOARD	IRF International Rectifier	IRF
IRDC3710-QFN	文件：693.58 Kbytes Page：13 Pages	USERGUIDEFORIRDC3710-QFNEVALUATIONBOARD	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710	文件：94.01 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=23mohm,Id=57A) VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710	文件：346.96 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
IRF3710	文件：715.62 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF3710	文件：280.15 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET(100V/59A)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
IRF3710	文件：65.319 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
CPC3710CTR
功能描述：
MOSFET N Channel Depletion Mode FET, T/R, 250V SOT-89
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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