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ESD7424	文件：267.07 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-LowCapacitanceESDProtection TheESD7424isdesignedtoprotectvoltagesensitivecomponents thatrequireultra−lowcapacitancefromESDandtransientvoltage events.Ithasindustryleadingcapacitancelinearityovervoltage makingitidealforRFapplications.Thiscapacitancelinearity combinedwiththeextremelysmall	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
IRF7424	文件：308.64 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET Description TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomized leadframeforenhancedthermalcharacteristicsand multiple-diecapabilitymakingitidealinavarietyof powerapplications.Withtheseimprovements,multiple devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically reducedboard	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
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IRF7424	文件：229.68 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseP-ChannelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications.. •	IRF International Rectifier	IRF
IRF7424GPBF	文件：205.1 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF7424PBF	文件：122.19 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF7424PBF	文件：127.79 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF7424TR	文件：308.64 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET Description TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomized leadframeforenhancedthermalcharacteristicsand multiple-diecapabilitymakingitidealinavarietyof powerapplications.Withtheseimprovements,multiple devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically reducedboard	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
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