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EXB840	文件：303.45 Kbytes Page：12 Pages	IGBT-DrivingHybridICs	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
F840	文件：1.63311 Mbytes Page：12 Pages	8A500VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司	WXDH
FBR840	文件：128.96 Kbytes Page：2 Pages	8.0AmpSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
FDR840	文件：78.69 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETusesaruggedgatePowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V–12V). Features •–10A,–20V.RDS(ON)=12mΩ@VGS=–4.5VRDS(ON)=17.5mΩ@VGS=–2.5V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDR840P	文件：78.69 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETusesaruggedgatePowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V–12V). Features •–10A,–20V.RDS(ON)=12mΩ@VGS=–4.5VRDS(ON)=17.5mΩ@VGS=–2.5V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDR840P	文件：416.88 Kbytes Page：24 Pages	ThermoelectricCoolerController GENERALDESCRIPTION TheADN8830isamonolithiccontrollerthatdrivesathermoelectriccooler(TEC)tostabilizethetemperatureofalaserdiodeorapassivecomponentusedintelecommunicationsequipment. Thisdevicereliesonanegativetemperaturecoefficient(NTC)thermistortosenset	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
FDR840P	文件：279.17 Kbytes Page：22 Pages	ThermoelectricCoolerController GENERALDESCRIPTION TheADN8830isamonolithiccontrollerthatdrivesathermoelectriccooler(TEC)tostabilizethetemperatureofalaserdiodeorapassivecomponentusedintelecommunicationsequipment. Thisdevicereliesonanegativetemperaturecoefficient(NTC)thermistortosenset	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
FM840	文件：34.24 Kbytes Page：2 Pages	Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM840	文件：79.05 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM840	文件：142.89 Kbytes Page：5 Pages	8Amps500VoltageNChannelMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI

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