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FMB2222A	文件：88.62 Kbytes Page：7 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FMBT2222A	文件：715.37 Kbytes Page：3 Pages	FMBT2222ANPNBipolarTransistorEpitaxialplanardieconstruction FEATURES •Epitaxialplanardieconstruction •ComplementaryPNPTypeavailable(FMMBT2907A) MARKING:1P MAXIMUMRATINGS*TA=25℃unlessotherwisenoted	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
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FMBT2222AW	文件：91.4 Kbytes Page：10 Pages	SMDNPNTransistor 600mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage. (BVCEO=40V@IC=10mA) •Smallloadswitchtransistorwithhighgainandlow staurationvoltage,isdesignedforgeneralpurpose amflifierandswitchingapplicationsatcollectorcurren	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FMMT2222	文件：42.71 Kbytes Page：2 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTORS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FMMT2222	文件：45.04 Kbytes Page：2 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTORS	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT2222	文件：46.09 Kbytes Page：2 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTORS	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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技术参数

Case：
SOT-26 (SC-74)
Configuration/ Description：
Dual NPN General Purpose Amplifier/Switch
Polarity：
NPN
IC MAX：
600mA
PD MAX：
350mW
VCEO MAX：
40V
hFE MIN：
100
hFE MAX：
300
@VCE：
10V
VCE(SAT) MAX：
300mV
@IC：
150mA
@IB：
15mA
Cob MAX：
8pF
fT MIN：
300MHz
NF MAX：
4dB

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