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CMU06N02N	文件：1.68926 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.68926 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
CMU06N02N	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS	CMOS 场效应	CMOS
G06N02H	文件：557.4 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G06N02H uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ⚫ Power switch ⚫ DC/DC converters 文件：557.4 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
NDT06N02	文件：1.9887 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET 文件：1.9887 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

技术参数

Type：
DIP/MOS
Vdss(V)：
20
Ids(A)：
60
Vth(V)：
2
Rds(Ω)-10V：
0.006
Rds(Ω)-4.5V：
0.009
Rds(Ω)-2V：
0.009
Channel：
N场
Pd(W)：
60

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更多CMU06N02N供应商更新时间2025-10-4 11:01:00

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