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DMC2004DWK	文件：358.39 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltageVGS(th)1V •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •ComplementaryPairMOSFET •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ESDProtectedGate •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes2&am	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC2004LPK	文件：365.56 Kbytes Page：7 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltageVGS(th)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC2004VK	文件：369.83 Kbytes Page：7 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltageVGS(th)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2004DMK	文件：155.88 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Gr	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2004DMK	文件：291.47 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2004DWK	文件：285.4 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2004DWK	文件：155.49 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. •LoadSwitch Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGate	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2004DWK	文件：457.81 Kbytes Page：7 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2004DWKQ	文件：480.07 Kbytes Page：6 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2004K	文件：152.59 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits •LowOn-Resistance:RDS(on)=550(max)mΩ@VGS=4.5V	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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