10th Gen Intel® CoreTM ATX

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单相中压高速栅极驱动IC

CMS6x24是为采用双N沟道VDMOS功率管或IGBT构成的桥式电路设计的单相中压高速栅极驱动IC，芯片内置300ns死区时间，单片机输出信号死区时间大于内置死区时间，实际死区时间为单片机设置的死区时间。工作温度-20℃至85℃；提供SOP8封装。 • 悬浮绝对电压+200V\n• 高峰值电流输出能力+1.1A/-1.5A@15V\n• 电源电压范围：9V~20V\n• 内置VCC欠压保护UVLO\n• 内置直通防止功能\n• 内置300ns死区时间\n• 高低侧通道匹配\n• 3.3V/5V输入逻辑兼容;

Cmsemicon

中微半导体