10th Gen Intel® CoreTM Mini-ITX

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MOSFET

Features - Super low RDS(on) and gate charge. - Advanced shielded-gate technology. - Green device available.

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Features - Super low gate charge. - Advanced high cell density technology. - Excellent Cdv/ dt effect decline. - 100% EAS guaranteed.

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MOSFET

中微半导体30-40V低压MOSFET主要针对电源领域、电池保护、电机驱动等应用开发。电源产品的应用中，往往要求MOSFET有更小的QgxRds(on)，中微半导通过优化器件的通态内阻与开关特性，做到有效提升电源产品整体效率。而电池保护应用方面，在高度关注器件的内阻与热特性的同时，又保证了产品一致性与抗短路能力，能为电池保护板的安全性提供有效保障。针对电机驱动，在常规的通态与开关损耗之外，中微半导低压功率MOSFET对器件的异常短路、过压击穿等极限性测试表现优异，可有效提升系统可靠性。 • 先进工艺制程：Trench & SGT结构，基于8寸&12寸晶圆制造平台\n• 严格品质管理：从设计研发到生产检测，全流程品质数据稽核\n• 易于开发使用：从器件替换到方案配套开发提供完整的技术服务\n\n;

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