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CMS100S030P56A中文资料MOSFET数据手册Cmsemicon规格书
CMS100S030P56A规格书详情
描述 Description
中微半导体30-40V低压MOSFET主要针对电源领域、电池保护、电机驱动等应用开发。电源产品的应用中,往往要求MOSFET有更小的QgxRds(on),中微半导通过优化器件的通态内阻与开关特性,做到有效提升电源产品整体效率。而电池保护应用方面,在高度关注器件的内阻与热特性的同时,又保证了产品一致性与抗短路能力,能为电池保护板的安全性提供有效保障。针对电机驱动,在常规的通态与开关损耗之外,中微半导低压功率MOSFET对器件的异常短路、过压击穿等极限性测试表现优异,可有效提升系统可靠性。
特性 Features
• 先进工艺制程:Trench & SGT结构,基于8寸&12寸晶圆制造平台
• 严格品质管理:从设计研发到生产检测,全流程品质数据稽核
• 易于开发使用:从器件替换到方案配套开发提供完整的技术服务
技术参数
- 制造商编号
:CMS100S030P56A
- 生产厂家
:Cmsemicon
- VDS (V)
:30
- ID(25℃)(A)
:100
- RDSON@VGS=10V Typ.(mΩ)
:2.3
- RDSON@VGS=4.5V Typ.(mΩ)
:-
- RDSON@VGS=3.8V Typ.(mΩ)
:-
- VGSth(V)
:1.5
- Polarity
:N
- VGS (±V)
:20
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