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CMS060S030P33A规格书详情
描述 Description
中微半导体30-40V低压MOSFET主要针对电源领域、电池保护、电机驱动等应用开发。电源产品的应用中，往往要求MOSFET有更小的QgxRds(on)，中微半导通过优化器件的通态内阻与开关特性，做到有效提升电源产品整体效率。而电池保护应用方面，在高度关注器件的内阻与热特性的同时，又保证了产品一致性与抗短路能力，能为电池保护板的安全性提供有效保障。针对电机驱动，在常规的通态与开关损耗之外，中微半导低压功率MOSFET对器件的异常短路、过压击穿等极限性测试表现优异，可有效提升系统可靠性。
特性 Features
• 先进工艺制程：Trench & SGT结构，基于8寸&12寸晶圆制造平台
• 完整的产品线：内阻范围0.75mΩ-40mΩ，多样的封装形式可选
• 严格品质管理：从设计研发到生产检测，全流程品质数据稽核
• 高可靠性封装：遵循RoHS规范，符合MSL 1等级潮敏器件要求
• 易于开发使用：从器件替换到方案配套开发提供完整的技术服务
技术参数
- 制造商编号
：CMS060S030P33A
- 生产厂家
：Cmsemicon
- VDS (V)
：30
- ID(25℃)(A)
：60
- RDSON@VGS=10V Typ.(mΩ)
：2
- RDSON@VGS=4.5V Typ.(mΩ)
：-
- RDSON@VGS=3.8V Typ.(mΩ)
：-
- VGSth(V)
：1.5
- Polarity
：N
- VGS (±V)
：20
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