Switching Mode Power Supply Applications

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TOSHIBA

东芝

TOSHIBA Schottky Barrier Rectifier Schottky Barrier Type

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TOSHIBA

东芝

丝印：B095A10KR；Package：DFN5x6；MOSFET

Features - Low gate charge. - Low on-resistance. - Fast switching characteristic. - ESD protected gate.

文件：550.79 Kbytes 页数：7 Pages

COMCHIP

典琦

Switching Mode Power Supply Applications

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TOSHIBA

东芝

TOSHIBA Schottky Barrier Rectifier Schottky Barrier Type

文件：170.66 Kbytes 页数：5 Pages

TOSHIBA

东芝

Schottky barrier diode

Application Scope：Switching-mode power supplies / Mobile equipment batteries\nInternal Connection：Single\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 马来西亚 Average Forward Current (Single) IF(AV) 1 A \nRepetitive Peak Reverse Voltage VRRM 30 V ;

Toshiba

东芝

MOSFET

中微半导体30-40V低压MOSFET主要针对电源领域、电池保护、电机驱动等应用开发。电源产品的应用中，往往要求MOSFET有更小的QgxRds(on)，中微半导通过优化器件的通态内阻与开关特性，做到有效提升电源产品整体效率。而电池保护应用方面，在高度关注器件的内阻与热特性的同时，又保证了产品一致性与抗短路能力，能为电池保护板的安全性提供有效保障。针对电机驱动，在常规的通态与开关损耗之外，中微半导低压功率MOSFET对器件的异常短路、过压击穿等极限性测试表现优异，可有效提升系统可靠性。 • 先进工艺制程：Trench & SGT结构，基于8寸&12寸晶圆制造平台\n• 完整的产品线：内阻范围0.75mΩ-40mΩ，多样的封装形式可选\n• 严格品质管理：从设计研发到生产检测，全流程品质数据稽核\n• 高可靠性封装：遵循RoHS规范，符合MSL 1等级潮敏器件要求\n• 易于开发使用：从器件替换到方案配套开发提供完整的技术服务;

Cmsemicon

中微半导体

MOSFET

Comchip

典琦

Package：SOD-128；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT

Toshiba Semiconductor and Storage