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CMS080S040DP3A

MOSFET

中微半导体30-40V低压MOSFET主要针对电源领域、电池保护、电机驱动等应用开发。电源产品的应用中,往往要求MOSFET有更小的QgxRds(on),中微半导通过优化器件的通态内阻与开关特性,做到有效提升电源产品整体效率。而电池保护应用方面,在高度关注器件的内阻与热特性的同时,又保证了产品一致性与抗短路能力,能为电池保护板的安全性提供有效保障。针对电机驱动,在常规的通态与开关损耗之外,中微半导低压功率MOSFET对器件的异常短路、过压击穿等极限性测试表现优异,可有效提升系统可靠性。 • 先进工艺制程:Trench & SGT结构,基于8寸&12寸晶圆制造平台\n• 完整的产品线:内阻范围0.75mΩ-40mΩ,多样的封装形式可选\n• 严格品质管理:从设计研发到生产检测,全流程品质数据稽核\n• 高可靠性封装:遵循RoHS规范,符合MSL 1等级潮敏器件要求\n• 易于开发使用:从器件替换到方案配套开发提供完整的技术服务;

Cmsemicon

中微半导体

CMS79F7334

CMSEMICON/中微9000

CMSEMICON/中微9000

上传:深圳市恒凯威科技开发有限公司

CMSEMICON/中微9000

CMSH2-60MTR13

CENTRAL
DO-214

CMT2300A其他被动件

HOPERF
QFN16

HOPERF

CMX309FBC4.000MTR

CITIZEN
SMD

CITIZEN

西铁城电子株式会社

上传:深圳市赛尔通科技有限公司

技术参数

  • VDS (V):

    40

  • ID(25℃)(A):

    80

  • RDSON@VGS=10V Typ.(mΩ):

    5.4

  • VGSth(V):

    1.5

  • Polarity:

    N

  • VGS (±V):

    20

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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M-FLAT
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更多CMS080S040DP3A供应商 更新时间2025-10-12 10:14:00