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CXT5401E	文件：126.99 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCXT5401EisaPNPSiliconTransistor,packagedinanSOT-89case,designedforgeneralpurposeamplifierapplicationsrequiringhighbreakdownvoltage. FEATURES: •HighCollectorBreakdownVoltage250V •LowLeakageCurrent50nAMax •LowSaturationVolt	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CZT5401	文件：92.57 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT5401typeisanPNPsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CZT5401	文件：35.81 Kbytes Page：1 Pages	PNPSiliconTransistor PNPSiliconTransistor	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
CZT5401	文件：665.69 Kbytes Page：2 Pages	EpitaxialPlanarTransistor Description TheCZT5401isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
CZT5401	文件：1.43513 Mbytes Page：3 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighVoltage HighVoltageAmplifierApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
CZT5401	文件：164.53 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:1W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.6A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-160V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
CZT5401E	文件：152.07 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT5401EisaPNPSiliconTransistor,packagedinanSOT-223case,designedforgeneralpurposeamplifierapplicationsrequiringhighbreakdownvoltage. MARKING:FULLPARTNUMBER FEATURES: •HighCollectorBreakdownVoltage250V •LowLeakageCurrent50n	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
DM5401	文件：97.92 Kbytes Page：4 Pages	Quad2-InputNANDGateswithOpen-CollectorOutputs	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
DMBT5401	文件：228.07 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	DCCOM Dc Components	DCCOM
DMMT5401	文件：99.59 Kbytes Page：3 Pages	MATCHEDPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>-150V •IC=-200mAHighCollectorCurrent •PairofPNPTransistorsthatareIntrinsicallyMatched(Note1) •2MatchedTolerance,hFE,VCE(SAT),VBE(SAT) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •FullyInternallyIsolatedinaSmallSurfaceMountPackage •	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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