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FCX493	文件：312.92 Kbytes Page：5 Pages	SOT89NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION PackagedintheSOT89outlinethis100Vdeviceprovidesexcellenthighperformanceandisideallysuitedtoloadmanagementfunctions. FEATURES •1ampcontinuouscurrent •Lowsaturationvoltages APPLICATIONS •Loadmanagementfunctions •Solenoid,relayandactuatordrivers •	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FCX493	文件：2.29447 Mbytes Page：4 Pages	NPNTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
FCX493A	文件：296.64 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTORINSOT89 Features •BVCEO>60V •IC=1AhighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •HighGaindevice>500atIC=150mA •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101Standardsfor	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FCX493ATA	文件：296.64 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTORINSOT89 Features •BVCEO>60V •IC=1AhighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •HighGaindevice>500atIC=150mA •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101Standardsfor	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FCX493ATC	文件：296.64 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTORINSOT89 Features •BVCEO>60V •IC=1AhighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •HighGaindevice>500atIC=150mA •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101Standardsfor	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FCX493TA	文件：312.92 Kbytes Page：5 Pages	SOT89NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION PackagedintheSOT89outlinethis100Vdeviceprovidesexcellenthighperformanceandisideallysuitedtoloadmanagementfunctions. FEATURES •1ampcontinuouscurrent •Lowsaturationvoltages APPLICATIONS •Loadmanagementfunctions •Solenoid,relayandactuatordrivers •	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FCX493TC	文件：312.92 Kbytes Page：5 Pages	SOT89NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION PackagedintheSOT89outlinethis100Vdeviceprovidesexcellenthighperformanceandisideallysuitedtoloadmanagementfunctions. FEATURES •1ampcontinuouscurrent •Lowsaturationvoltages APPLICATIONS •Loadmanagementfunctions •Solenoid,relayandactuatordrivers •	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FDZ493P	文件：421 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchBGAMOSFET-20V,-4.6A,46mohm GeneralDescription CombiningFairchildsadvanced2.5VspecifiedPowerTrench®processwithstateoftheartBGApackagingprocess,theFDZ493PminimizesbothPCBspaceandrDS(on).ThisBGAMOSFETembodiesabreakthroughinpackagingtechnologywhichenablesthedevicetocombineexcellenttherma	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMMT493	文件：144.69 Kbytes Page：2 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR Features ●BVCEO>100V ●IC=1AHighContinuousCollectorCurrent ●ICM=2APeakPulseCurrent ●500mWPowerDissipation ●hFECharacterisedUpto2AforHighCurrentGainHoldUp ●ComplementaryPNPType:FMMT593 ●TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) ●Haloge	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT493	文件：393.62 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ComplementaryTypeFMMT593	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI

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详细参数

型号：
CMMT493
功能描述：
BJT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CMMT493供应商更新时间2025-7-25 15:17:00

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