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CMF10120D_CREE/科锐_MOSFET ZFET 1X10A IDS 1200V ON 160MOHM SIC MOSFT兆亿微波

图片仅供参考,请参阅产品规格书

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  • 厂家型号:

    CMF10120D

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    Cree/Wolfspeed

  • 库存数量:

    100

  • 产品封装:

  • 生产批号:

  • 库存类型:

    常用库存

  • 更新时间:

    2025-10-30 10:03:00

  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:CMF10120D品牌:Cree/Wolfspeed

  • 芯片型号:

    CMF10120D

  • 规格书:

    下载

  • 企业简称:

    CREE【科锐】详情

  • 厂商全称:

    Cree, Inc

  • 内容页数:

    9 页

  • 文件大小:

    948.54 kb

  • 资料说明:

    Silicon Carbide Power MOSFET

产品属性

  • 类型

    描述

  • 制造商编号

    :CMF10120D

  • 技术

    :SiCFET(碳化硅)

  • 漏源电压(Vdss)

    :1200V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

    :24A(Tc)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

    :20V

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

    :220 毫欧 @ 10A,20V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    :4V @ 500µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

    :47.1nC @ 20V

  • Vgs(最大值)

    :+25V,-5V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

    :928pF @ 800V

  • FET 功能

    :-

  • 功率耗散(最大值)

    :134W(Tc)

  • 工作温度

    :-55°C ~ 135°C(TJ)

  • 安装类型

    :通孔

  • 供应商器件封装

    :TO-247

  • 封装/外壳

    :TO-247-3

供应商

  • 企业:

    兆亿微波(北京)科技有限公司

  • 商铺:

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  • 联系人:

    魏小姐

  • 手机:

    13718660290

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    010-82888379

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