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DSEK30-12A	文件：52.28 Kbytes Page：2 Pages	CommonCathodeFastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •Planarpassivatedchips •Veryshortrecoverytime •Extremelylowswitchinglosses •LowIRM-values •Softrecoverybehavior •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityclassification Applications •Rectifiersinswitchmodepowersupp	IXYS IXYS Corporation	IXYS
DSEP30-12A	文件：40.92 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFREDTMEpitaxialDiodewithsoftrecovery Features ●Internationalstandardpackage ●Planarpassivatedchips ●Veryshortrecoverytime ●Extremelylowswitchinglosses ●LowIRM-values ●Softrecoverybehaviour ●EpoxymeetsUL94V-0 ●Version..RisolatedandULregisteredE153432 Applications ●Antiparalleldiodeforhighfr	IXYS IXYS Corporation	IXYS
DSEP30-12A	文件：1.62487 Mbytes Page：3 Pages	30Ampere,1200VoltSwitchModeSingleFastRecoveryEpitaxialDiode GENERALDESCRIPTION DSEP30-12AusingthelastestFREDFABprocess(planarpassivationpellet)withultrafastandsoftrecoverycharacteristics. PRODUCTFEATURE •UltrafastRecoveryTime •SoftRecoveryCharacteristics •LowRecoveryLoss •LowForwardVoltage •HighSurgeCurrentCapability	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
DSEP30-12A	文件：283.83 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryDiode FEATURES ·Lowforwardvoltagedrop ·Highfrequencyoperation ·Ultrafastrecoverytime APPLICATIONS ·SMPS ·UPS ·Freewheelingdiodes ·Snubberdiode	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
DSEP30-12AR	文件：40.92 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFREDTMEpitaxialDiodewithsoftrecovery Features ●Internationalstandardpackage ●Planarpassivatedchips ●Veryshortrecoverytime ●Extremelylowswitchinglosses ●LowIRM-values ●Softrecoverybehaviour ●EpoxymeetsUL94V-0 ●Version..RisolatedandULregisteredE153432 Applications ●Antiparalleldiodeforhighfr	IXYS IXYS Corporation	IXYS
DSEP30-12B	文件：283.85 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryDiode FEATURES ·Lowforwardvoltagedrop ·Highfrequencyoperation ·Ultrafastrecoverytime APPLICATIONS ·SMPS ·UPS ·Freewheelingdiodes ·Snubberdiode	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
DSEP30-12CR	文件：19.31 Kbytes Page：1 Pages	HiPerDynFREDwithsoftrecovery(ElectricallyIsolatedBackSurface)	IXYS IXYS Corporation	IXYS
DSEP30-12CR	文件：19.31 Kbytes Page：1 Pages	HiPerDynFREDwithsoftrecovery(ElectricallyIsolatedBackSurface) Features ●SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ●Lowcathodetotabcapacitance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
DSI30-12A	文件：50.31 Kbytes Page：2 Pages	RectifierDiode Features ●Internationalstandardpackages JEDECTO-263AAsurfacemountable ●Planarpassivatedchips ●EpoxymeetsUL94V-0flammabilityclassification	IXYS IXYS Corporation	IXYS
DSI30-12A	文件：141.25 Kbytes Page：5 Pages	StandardRectifier Features ●Internationalstandardpackages JEDECTO-263AAsurfacemountable ●Planarpassivatedchips ●EpoxymeetsUL94V-0flammabilityclassification	IXYS IXYS Corporation	IXYS

晶体管资料

型号：
CME30-12
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
36V
最大电流允许值：
9A
最大工作频率：
470MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
图片代号：
H-99
vtest：
36
htest：
470000000
atest：
9
wtest：
100

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CME30-12供应商更新时间2025-5-24 23:00:00

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