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CMPT2222A	文件：80.2 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT2222A type is an NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for small signal, general purpose and switching applications. MARKING CODE: C1P 文件：80.2 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPT2222AE	文件：142.45 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT2222AE is an Enhanced version of the CMPT2222A NPN Switching transistor in a SOT-23 surface mount package, designed for switching applications, interface circuit and driver circuit applications. MARKING CODE: C1PE FEATURED ENHANCED SPECIFICATIONS: ♦ B 文件：142.45 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPT2222A_10	文件：329.82 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR 文件：329.82 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPT2222A_15	文件：329.82 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR 文件：329.82 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPT2222AE_10	文件：336.52 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR 文件：336.52 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPT2222AE_15	文件：336.52 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR 文件：336.52 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPT2222A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch	Central	Central
CMPT2222ATR-HXY	文件：300 bytes Page：1 Pages	三极管(BJT)-NPN IC:0.6A,VCEO:40V,HFE:100-300,FT:300MHz,TYPE:NPN,	HXY MOSFET 华轩阳电子	HXY MOSFET
CMPT2222AE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch	Central	Central
CMPT2222A TR PBFREE	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 0.6A SOT23	CENTRAL	CENTRAL

晶体管资料

型号：
CMPT2222A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
射频/高频放大（HF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
最大工作频率：
300MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.35W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
40
htest：
300000000
atest：
0
wtest：
0.35

技术参数

Case：
SOT-23 (TO-236AB)
Configuration/ Description：
NPN General Purpose Amplifier/Switch
Polarity：
NPN
IC MAX：
600mA
PD MAX：
350mW
VCEO MAX：
40V
hFE MIN：
100
hFE MAX：
300
@VCE：
10V
VCE(SAT) MAX：
300mV
@IC：
150mA
@IB：
15mA
Cob MAX：
8pF
fT MIN：
300MHz
NF MAX：
4dB

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