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CMPT5087	文件：78.7 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5086 and CMPT5087 are PNP silicon transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for applications requiring high gain and low noise MARKING CODES: CMPT5086: C2P 文件：78.7 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPT5087	文件：329.73 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR 文件：329.73 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPT5087	文件：329.73 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR 文件：329.73 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPT5087	文件：300 bytes Page：1 Pages	Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise	Central	Central
CMPT5087E	文件：132.09 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT ULTRAmini COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5087E and CMPT5088E, are Silicon transistors in an epoxy molded surface mount package with enhanced specifications designed for applications requiring high gain and low noise MARKING CODES: CMPT5087E: C2QE CMPT5088E: C1 文件：132.09 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPT5087E	文件：335.26 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 文件：335.26 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPT5087E	文件：335.26 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 文件：335.26 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPT5087E_10	文件：335.26 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 文件：335.26 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPT5087E_15	文件：335.26 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 文件：335.26 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPT5087E	文件：300 bytes Page：1 Pages	Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise	Central	Central

晶体管资料

型号：
CMPT5087
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.35W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0
wtest：
0.35

技术参数

Case：
SOT-23 (TO-236AB)
Configuration/ Description：
PNP Low Noise
Polarity：
PNP
IC MAX：
50mA
PD MAX：
350mW
VCEO MAX：
50V
hFE MIN：
250
hFE MAX：
800
@VCE：
5V
VCE(SAT) MAX：
300mV
@IC：
10mA
@IB：
1mA
Cob MAX：
4pF
fT MIN：
40MHz
NF MAX：
2dB

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