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NP75N04VDK	文件：279.05 Kbytes Page：8 Pages	40V–75A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description TheNP75N04VDKisN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=5.7mMAX.(VGS=10V,ID=38A) LowCiss:Ciss=1630pFTYP.(VDS=25V) Logicleveldrivetype Designedfor	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP75N04VUK	文件：270.4 Kbytes Page：8 Pages	40V–75A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description TheNP75N04VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=5.7mMAX.(VGS=10V,ID=38A) LowCiss:Ciss=1630pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP75N04YLG	文件：356.35 Kbytes Page：8 Pages	N-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP75N04YUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP75N04YUG	文件：230.44 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP75N04YUGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=4.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=37.5A) •LowCiss:Ciss=4300pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Designedforautomotiveappl	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP75N04YUK	文件：282.4 Kbytes Page：8 Pages	40V–75A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description TheNP75N04YUKisN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.3mMAX.(VGS=10V,ID=38A) Nonlogicleveldrivetype DesignedforautomotiveapplicationandAEC-Q101qualif	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP75N04YUK	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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