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LMBT5401LT1	文件：109.25 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageTransistor FEATURE ●Pb-Freepackageisavailable.	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT5401LT1G	文件：109.25 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageTransistor FEATURE ●Pb-Freepackageisavailable.	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT5401LT1G	文件：107.85 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageTransistorRoHSrequirements.	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT5401LT1G	文件：445.01 Kbytes Page：5 Pages	WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements FEATURE ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteand ControlChangeRequirements;AEC-Q101QualifiedandPPAPCapable.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
MMBT5401LT1	文件：330.96 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageTransistor FEATURE ●Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
MMBT5401LT1	文件：164.83 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageTransistor(PNPSilicon) HighVoltageTransistor PNPSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT5401LT1	文件：44.6 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	AVICTEKAvic Technology AvicTechnology	AVICTEK
MMBT5401LT1	文件：154.92 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT5401LT1	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistor(PNPSilicon) HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5401LT1	文件：189.34 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistor HighVoltageTransistor PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMBT5401LT1	文件：40.92 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheMMBT5401LT1isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages. Features •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage.BVCEO=150V(@IC=1mA) •ComplementstoNPNTypeMMBT5551LT1.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT5401LT1G	文件：121.01 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistor HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5401LT1G	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistor(PNPSilicon) HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5401LT1G	文件：118.48 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistorPNPSilicon HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5401LT1G	文件：139.08 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistor HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
S-LMBT5401LT1G	文件：445.01 Kbytes Page：5 Pages	WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements FEATURE ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteand ControlChangeRequirements;AEC-Q101QualifiedandPPAPCapable.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
SMMBT5401LT1G	文件：118.48 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistorPNPSilicon HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SMMBT5401LT1G	文件：139.08 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistor HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
WMBT5401LT1	文件：34.88 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconTransistor PNPSiliconTransistor	WINGSWing Shing Computer Components Wing Shing Computer Components	WINGS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市纳立科技有限公司	CMBT5401LT1G		三年内		1983	纳立只做原装正品13590203865	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	CMBT5401-T	RECTRON	21+ROHS		18000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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深圳市维尔达电子有限公司	CMBT5551	CENTRAL	2023+	SOT-23	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
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更多CMBT5401LT1G供应商更新时间2024-6-19 15:08:00

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