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LMBT4403LT1	文件：217.47 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistors(PNPSILICON)	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
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MMBT4403LT1	文件：437.16 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors PNPSilicon •RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
MMBT4403LT1	文件：156.55 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES •Powerdissipation PCM:0.225W(Tamb=25℃) •PluseDrain ICM:-0.6mA •Reversevoltage V(BR)CBO:-40V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT4403LT1	文件：147.1 Kbytes Page：8 Pages	SwitchingTransistor(PNPSilicon) SwitchingTransistor PNPSilicon Features •Pb−FreePackageisAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT4403LT1	文件：301.08 Kbytes Page：8 Pages	SwitchingTransistor SwitchingTransistor PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMBT4403LT1	文件：254.84 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor(PNPSilicon) GeneralPurposeTransistors PNPSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT4403LT1	文件：43.01 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheMMBT4403LT1isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT4403LT1	文件：38.41 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	AVICTEK Avic Technology	AVICTEK
MMBT4403LT1G	文件：150.06 Kbytes Page：7 Pages	SwitchingTransistor SwitchingTransistor PNPSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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