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DMMT2907A	文件：220.3 Kbytes Page：7 Pages	60VDUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>-60V •ICM=-1APeakPulseCurrent •GeneralPurposePNPTransistorsIdeallySuitedforLowPower AmplificationandSwitchingApplications •DualTransistorsinaSingleSOT26Package,TakingHalfofthe FootprintofTwoEquivalentTransistorsinSOT23 •Epitaxial	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DXT2907A	文件：238.05 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeamplifierandhigh-speed,medium-powerswitchingapplications.	DCCOM Dc Components	DCCOM
DXT2907A	文件：191.61 Kbytes Page：4 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>-60V •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •ComplementaryNPNTypeAvailable(DXT2222A) •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Devic	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DXT2907A	文件：372.13 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DZT2907A	文件：206.32 Kbytes Page：4 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(DZT2222A) •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FFB2907A	文件：62.56 Kbytes Page：5 Pages	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasageneralpurposeamplifierandswitchrequiring collectorcurrentsto500mA.SourcedfromProcess63.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFB2907A	文件：90.05 Kbytes Page：7 Pages	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJX2907	文件：40.08 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor PNPEpitaxialSiliconTransistor GeneralPurposeTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJX2907A	文件：40.08 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor PNPEpitaxialSiliconTransistor GeneralPurposeTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJX2907A	文件：45.56 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor PNPEpitaxialSiliconTransistor GeneralPurposeTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
CMBT2907AT/-W
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP 0.6A 60V Gen Pur
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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