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FSL234R	文件：46.03 Kbytes Page：8 Pages	4A,250V,0.610Ohm,RadHard,SEGRResistant,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSPYE234F	文件：79.62 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardened,SEGRResistantN-ChannelPowerMOSFETs IntersilStarPowerRadHardMOSFETshavebeenspecificallydevelopedforhighperformanceapplicationsinacommercialormilitaryspaceenvironment.StarPowerMOSFETsofferthesystemdesignerbothextremelylowrDS(ON)andGateChargeallowingthedevelopmentoflowlossPowerSubsystems.Star	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSPYE234R	文件：79.62 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardened,SEGRResistantN-ChannelPowerMOSFETs IntersilStarPowerRadHardMOSFETshavebeenspecificallydevelopedforhighperformanceapplicationsinacommercialormilitaryspaceenvironment.StarPowerMOSFETsofferthesystemdesignerbothextremelylowrDS(ON)andGateChargeallowingthedevelopmentoflowlossPowerSubsystems.Star	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS234	文件：29.28 Kbytes Page：4 Pages	DC/DCConverterApplications Features •LowON-resistance. •4.0Vdrive. •Ultrahigh-speedswitching.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FSS234D	文件：45.39 Kbytes Page：8 Pages	6A,250V,0.600Ohm,RadHard,SEGRResistant,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS234R	文件：45.39 Kbytes Page：8 Pages	6A,250V,0.600Ohm,RadHard,SEGRResistant,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FT234XD	文件：1.20141 Mbytes Page：40 Pages	SinglechipUSBtoasynchronousserialdatatransferinterface	FTDIFuture Technology Devices International Ltd. 飞特帝亚英商飞特帝亚有限公司	FTDI
FT234XD	文件：695.44 Kbytes Page：37 Pages	TheFT234XDisaUSBtoserialUARTinterfacewithoptimisedpackaging(3mmx3mm12pinDFN)forsmallerPCBdesignsandthefollowingadvancedfeatures	FTDIFuture Technology Devices International Ltd. 飞特帝亚英商飞特帝亚有限公司	FTDI
FT234XDR	文件：695.44 Kbytes Page：37 Pages	TheFT234XDisaUSBtoserialUARTinterfacewithoptimisedpackaging(3mmx3mm12pinDFN)forsmallerPCBdesignsandthefollowingadvancedfeatures	FTDIFuture Technology Devices International Ltd. 飞特帝亚英商飞特帝亚有限公司	FTDI
FT234XD-R	文件：695.44 Kbytes Page：37 Pages	USBtoBASICUARTIC	FTDIFuture Technology Devices International Ltd. 飞特帝亚英商飞特帝亚有限公司	FTDI

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详细参数

型号：
CLE234W
制造商：
CLAIREX
制造商全称：
CLAIREX
功能描述：
Very High Output Aluminum Gallium Arsenide Quad chip IRED Array

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CLE234W供应商更新时间2025-7-28 8:02:00

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