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LX5506M	文件：71.32 Kbytes Page：2 Pages	InGaPHBT4.5-6GHzPowerAmplifier DESCRIPTION TheLX5506MisapoweramplifieroptimizedfortheFCCUnlicensedNationalInformationInfrastructure(U-NII)band,HyperLAN2,andJapan’sWLANapplicationsinthe4.9-5.9GHzfrequencyrange.ThePAisimplementedasathree-stagemonolithicmicrowaveintegratedcircuit(MMIC)with	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
LX5506M	文件：74.13 Kbytes Page：2 Pages	InGaPHBT4.5??6GHzPowerAmplifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
LX5506MLQ	文件：74.13 Kbytes Page：2 Pages	InGaPHBT4.5??6GHzPowerAmplifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
LX5506MLQ-TR	文件：74.13 Kbytes Page：2 Pages	InGaPHBT4.5??6GHzPowerAmplifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
NDL5506P	文件：66.75 Kbytes Page：8 Pages	1000to1600nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONS80mmInGaAsPINPHOTODIODEMODULE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL5506P	文件：68.5 Kbytes Page：8 Pages	1300nmOPTICALANALOGCATVSYSTEM80mmInGaAsPINPHOTODIODEMODULEWITHSMF SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL5506P	文件：75.42 Kbytes Page：8 Pages	1000to1600nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONS30mmInGaAsAVALANCHEPHOTODIODEMODULE DESCRIPTION NDL5531PSeriesisanInGaAsavalanchephotodiodemodulewithsinglemodefiber.Itisdesignedfordetectorsoflongwavelengthtransmissionsystems.Theseriescoversthewavelengthrangebetween1000and1600nm. FEATURES •SmalldarkcurrentID=5nA •Smallterminalcapaci	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL5506P	文件：76.18 Kbytes Page：8 Pages	1000to1600nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONS50mmInGaAsAVALANCHEPHOTODIODEMODULE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL5506P	文件：62.56 Kbytes Page：8 Pages	1000to1600nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONS50mmInGaAsPINPHOTODIODEMODULE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL5506P	文件：185.81 Kbytes Page：1 Pages	PHOTODIODE f50mmInGaAsAVALANCHEPHOTODIODE 14-PINDIPMODULEWITHTEC	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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详细参数

型号：
CLC5506IMX
功能描述：
IC AMP GAIN TRIM(GTA)14-SOIC
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列：
-
标准包装：
1,000
放大器类型：
电压反馈
电路数：
4
输出类型：
满摆幅
转换速率：
33 V/µs
增益带宽积：
20MHz
-3db带宽：
30MHz 电流 -
输入偏压：
2nA 电压 -
输入偏移：
3000µV 电流 -
电源：
2.5mA 电流 -
输出/通道：
30mA 电压 -
电源，单路/双路(±)：
4.5 V ~ 16.5 V，±2.25 V ~ 8.25 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
14-SOIC
包装：
带卷(TR)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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