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FBR3502W	文件：49.14 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYBRIDGERECTIFIERS FEATURES: Highcasedielectricstrength Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Fastswitchingforhighefficiency *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
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FDB3502	文件：329.09 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET75V,14A,47m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB3502	文件：328.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=47mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
CL3502-L
制造商：
RFHIC
制造商全称：
RFHIC
功能描述：
Low Noise Amplifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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