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CJT80100RJJ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：矩形外壳类别：电阻器底座安装电阻器描述：RES CHAS MNT 100 OHM 5% 80W	TEConnectivityPassiveProductTE Connectivity Passive Product TE Connectivity Passive ProductTE ConnectivityPassiveProduct	TEConnectivityPassiveProduct
DSM80100M	文件：424.29 Kbytes Page：6 Pages	PNPTRANSISTORWITHDUALSERIESSWITCHINGDIODE	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FST80100	文件：120.74 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyMiniMod	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
FST80100	文件：140.89 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyMiniMod SchottkyMiniMod ●SchottkyBarrierRectifier ●Guardringprotection ●2X40Amperesavg. ●175°Cjunctiontemperature ●Reverseenergytested ●VRRM80to100volts ●ROHSCompliant	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
FST80100	文件：85.52 Kbytes Page：3 Pages	80AmpRectifier60to100VoltsSchottkyBarrier Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MBR80100	文件：122.33 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESSTUDTYPE80A 80AmpRectifier20-100Volts Features HighSurgeCapability Typesupto100VVRRM	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
MBR80100	文件：569.37 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SCHOTTKYRECTIFIER Features •HighSurgeCapability •Typesupto100VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MBR80100	文件：123.23 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerDiode,80A Features •FastSwitching •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Highefficiency,lowpowerloss •NormalandReversepolarity	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MBR80100PT	文件：3.24744 Mbytes Page：3 Pages	80AmpereHeatsinkDualCommonCathodeSchottkyBarrierRectifierDiodes Features Lowforwardvoltagedrop ThinkiSemimaturedplanarprocessschottky Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Lowreverseleakagecurrent Application Inverter/UPS PlatingPowerSupply/SMPS CarAudioAmplifierandSoundDeviceSystem	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
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MBR80100R	文件：661.71 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBR80100R	文件：349.02 Kbytes Page：3 Pages	NotESDSensitive Features •HighSurgeCapability •Typesfrom45Vto100VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
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MBR80100R	文件：122.33 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESSTUDTYPE80A 80AmpRectifier20-100Volts Features HighSurgeCapability Typesupto100VVRRM	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
MLO80100	文件：100.78 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountVoltageControlledOscillatorEGSM920-960MHz Description TheMLO80100-01020isafundamentalsingleendedoscillatordesignedforuseincostsensitivewirelessandtelemetryapplications.Thedevicehasbeenoptimisedbycarefulselectionofthebipolartransistorandvaractordiodeforlowphasenoiseandhighlylineartuningcharacterist	MACOM Tyco Electronics	MACOM
RU80100R	文件：1.48216 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
RU80100R	文件：496.77 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS
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RURG80100	文件：242.24 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRectifier FEATURES •WithTO-247packaging •Highperformancefastrecoverydiode •Lowlossandsoftrecovery •Lowforwardvoltagedrop •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Switchingpowersupply •Powerswitchingcircuits •Generalp	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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产品属性

产品编号：
CJT80100RJJ
制造商：
TE Connectivity Passive Product
类别：
电阻器 > 底座安装电阻器
系列：
CJT, CGS
包装：
托盘
容差：
±5%
功率 (W)：
80W
成分：
绕线
温度系数：
±440ppm/°C
涂层，外壳类型：
铝
安装特性：
法兰
大小 / 尺寸：
5.512" 长 x 1.575" 宽（140.00mm x 40.00mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.787"（20.00mm）
引线样式：
导线引线
封装/外壳：
矩形外壳
描述：
RES CHAS MNT 100 OHM 5% 80W

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