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CJU05N60B

Plastic-Encapsulate MOSFETS

文件:717.72 Kbytes 页数:3 Pages

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

CJU05N60B

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.92842 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

DMS05N60

N-Channel Depletion-Mode MOSFET

文件:565.1 Kbytes 页数:3 Pages

BWTECH

FMC05N60E

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件:578.55 Kbytes 页数:5 Pages

FUJI

富士通

FMC05N60E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=5.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.3Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

文件:332.99 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

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更多CJU05N60B供应商 更新时间2026-2-2 16:50:00