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CJCD2007	文件：879 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel MOSFET 文件：879 Kbytes 页数：5 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
CJCD2007	文件：832.13 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate MOSFETS 文件：832.13 Kbytes 页数：2 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJCD2007	文件：300 bytes Page：1 Pages	Multi-Channel MOSFET	JSCJ 长晶科技	JSCJ
CJCD2007A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench MOS	JSCJ 长晶科技	JSCJ

技术参数

Process：
Trench
ESDYes/No：
Yes
VDSV：
20
VGSV：
±12
IDA：
8
VGS(TH)V：
0.4~1
RDS(mΩ)@VGS4.5V Typ：
12.5
RDS(mΩ)@VGS4.5V Max：
15
Package：
DFNWB2×3-6L-C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CJCD2007供应商更新时间2025-10-13 17:23:00

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