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CJCD2007A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench MOS	JSCJ 长晶科技	JSCJ
CJND2007	文件：959.99 Kbytes Page：2 Pages	D ual N-Channel MOSFET 文件：959.99 Kbytes 页数：2 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJND2007	文件：647.88 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel MOSFET 文件：647.88 Kbytes 页数：5 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
CLC2007	文件：1.76729 Mbytes Page：27 Pages	Single, Dual, and Quad Low Cost, High Speed RRO Amplifiers 文件：1.76729 Mbytes 页数：27 Pages	EXAR 艾科嘉	EXAR

技术参数

Type：
Single-N
Process：
Trench
ESDYes/No：
Yes
VDSV：
20
VGSV：
±10
IDA：
8
VGS(TH)V：
0.4~1
RDS(mΩ)@VGS10V Typ：
10.5
RDS(mΩ)@VGS10V Max：
13.7
RDS(mΩ)@VGS4.5V Typ：
11.3
RDS(mΩ)@VGS4.5V Max：
14.7
Package：
DFNWB2×3-6L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	CJCD2007贴片三极管	CJ/长电	23+	DFN23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市博中泰实业有限公司	CJCD2007贴片三极管	CJ/长电	24+	DFN23	60000	全新原装现货	询价
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深圳市星宇佳科技有限公司	CJCD2008	CJ/长电	2020+	DFNWB2*3-6L	3000	原装现货支持BOM配单服务	询价
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深圳市嵩宏达科技有限公司	CJCD2008	CJ/长电	24+	DFNWB2*3-6L	50000	全新原装,一手货源,全场热卖!	询价
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更多CJCD2007A供应商更新时间2026-1-18 11:00:00

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