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ZXT10P20DE6	文件：230.2 Kbytes Page：6 Pages	20VPNPSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR DESCRIPTION Thisnew4thgenerationultralowsaturationtransistorutilisestheZetexmatrixstructurecombinedwithadvancedassemblytechniquestogiveextremelylowonstatelosses.Thismakesitidealforhighefficiency,lowvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowEquivalentOnRes	ZetexZetex Semiconductors 捷特科半导体	Zetex
ZXT10P20DE6	文件：242.9 Kbytes Page：6 Pages	20VPNPSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR Features •BVCEO>-20V •IC=-2.5AContinuousCollectorCurrent •ICM=-6APeakPulseCurrent •RCE(sat)=96mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •LowSaturationVoltage(-220mVmax@1A) •hFECharacterizedupto-6AforHighCurrentGainHold-Up •TotallyLead-Free&FullyRoHSc	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ZXT10P20DE6TA	文件：242.9 Kbytes Page：6 Pages	20VPNPSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR Features •BVCEO>-20V •IC=-2.5AContinuousCollectorCurrent •ICM=-6APeakPulseCurrent •RCE(sat)=96mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •LowSaturationVoltage(-220mVmax@1A) •hFECharacterizedupto-6AforHighCurrentGainHold-Up •TotallyLead-Free&FullyRoHSc	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ZXT10P20DE6TA	文件：230.2 Kbytes Page：6 Pages	20VPNPSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR DESCRIPTION Thisnew4thgenerationultralowsaturationtransistorutilisestheZetexmatrixstructurecombinedwithadvancedassemblytechniquestogiveextremelylowonstatelosses.Thismakesitidealforhighefficiency,lowvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowEquivalentOnRes	ZetexZetex Semiconductors 捷特科半导体	Zetex
ZXT10P20DE6TC	文件：230.2 Kbytes Page：6 Pages	20VPNPSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR DESCRIPTION Thisnew4thgenerationultralowsaturationtransistorutilisestheZetexmatrixstructurecombinedwithadvancedassemblytechniquestogiveextremelylowonstatelosses.Thismakesitidealforhighefficiency,lowvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowEquivalentOnRes	ZetexZetex Semiconductors 捷特科半导体	Zetex
ZXT10P20DE6TC	文件：242.9 Kbytes Page：6 Pages	20VPNPSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR Features •BVCEO>-20V •IC=-2.5AContinuousCollectorCurrent •ICM=-6APeakPulseCurrent •RCE(sat)=96mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •LowSaturationVoltage(-220mVmax@1A) •hFECharacterizedupto-6AforHighCurrentGainHold-Up •TotallyLead-Free&FullyRoHSc	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES

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更多CJ10P20DE6*ZXT10P20DE6TA供应商更新时间2024-6-22 9:30:00

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