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CEB05P03	文件：892.36 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-18A,RDS(ON)=70mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED05P03	文件：370.89 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-15A,RDS(ON)=70mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CED05P03	文件：893.71 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-15A,RDS(ON)=70mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP05P03	文件：892.36 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-18A,RDS(ON)=70mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP05P03	文件：485.53 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelEnhancementModeMOSFET	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU05P03	文件：893.71 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-15A,RDS(ON)=70mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU05P03	文件：370.89 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-15A,RDS(ON)=70mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEZ05P03	文件：767.94 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-93A,RDS(ON)=5.2mW@VGS=-10V. RDS(ON)=8mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市惊羽科技有限公司	CHM05P03NGP	CHENMKO-力勤	24+25+/26+27+	SC-75	78800	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
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深圳诚思涵科技有限公司	CHM1012TGP	鍔涘嫟/Chenmko	16+	SC-75	85000	鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠锋牸鍙皥!	询价
深圳兆威电子有限公司	CHM1012TGP	CHENMKO	23+	SC-75	39000	原装正品现货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	CHM1012TGP	力勤/Chenmko	20+	SC-75	36800	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
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深圳市英瑞尔电子科技有限公司	CHM1012TGP	力勤/Chenmk	24+	SC-75	85000	原装现货假一赔十	询价

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