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CEB05P03	文件：892.36 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-18A,RDS(ON)=70mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED05P03	文件：893.71 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-15A,RDS(ON)=70mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED05P03	文件：370.89 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-15A,RDS(ON)=70mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CHN34063	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST DIP	ST 相关企业：深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	ST
CHP202KGP	文件：0 bytes Page：0 Pages	CHENMKO SOT23	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司相关企业：深圳市富芯乐电子科技有限公司	CHENMKO

更多CHM05P03NGP供应商更新时间2025-7-30 14:13:00