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CEB05P03	文件：892.36 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V,-18A,RDS(ON)=70mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED05P03	文件：893.71 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-15A,RDS(ON)=70mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED05P03	文件：370.89 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-15A,RDS(ON)=70mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP05P03	文件：892.36 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-18A,RDS(ON)=70mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP05P03	文件：485.53 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelEnhancementModeMOSFET	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU05P03	文件：370.89 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-15A,RDS(ON)=70mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU05P03	文件：893.71 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-15A,RDS(ON)=70mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEZ05P03	文件：767.94 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-93A,RDS(ON)=5.2mW@VGS=-10V. RDS(ON)=8mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

详细参数

型号：
CEB05P03
功能描述：
-30V P Channel MOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市卓越微芯电子有限公司	CEB05P03	CET/华瑞	2020+	SOT263	4500	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	CEB05P03	CET	24+	TO-263	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市仟禧电子有限公司	CEB05P03	CET/華瑞	22+	TO-263	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	CEB05P03	CET/華瑞	23+	TO-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CEB05P03	CET/華瑞	2022+	TO-263	50000	原厂代理终端免费提供样品	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	CEB05P03	CET	23+	TO-263	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市威雅利发展有限公司	CEB05P03	CET	05+	TO-263	40000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市振宏微科技有限公司	CEB05P03	CET	23+	TO-263	28000	原装正品	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	CEB05P03	CET/華瑞	22+	TO-263	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市能元时代电子有限公司	CEB05P03	CET	23+	TO-263	12800	公司只有原装欢迎来电咨询。	询价

更多CEB05P03供应商更新时间2025-5-20 14:08:00

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