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HAL579UA-E	文件：1.73062 Mbytes Page：36 Pages	Two-WireHall-EffectSensorFamily Introduction Thissensorfamilyconsistsofdifferenttwo-wireHallswitchesproducedinCMOStechnology.Allsensorschangethecurrentconsumptiondependingontheexternalmagneticfieldandrequireonlytwowiresbetweensensorandevaluationcircuit.Thesensorsofthisfamilydifferinthe	MICRONAS Micronas	MICRONAS
HAL579UA-K	文件：1.73062 Mbytes Page：36 Pages	Two-WireHall-EffectSensorFamily Introduction Thissensorfamilyconsistsofdifferenttwo-wireHallswitchesproducedinCMOStechnology.Allsensorschangethecurrentconsumptiondependingontheexternalmagneticfieldandrequireonlytwowiresbetweensensorandevaluationcircuit.Thesensorsofthisfamilydifferinthe	MICRONAS Micronas	MICRONAS
HMC579	文件：273.18 Kbytes Page：6 Pages	GaAsMMICx2ACTIVEFREQUENCYMULTIPLIER,32-46GHzOUTPUT GeneralDescription TheHMC579dieisax2activebroadbandfrequencymultiplierutilizingGaAsPHEMTtechnology.Whendrivenbya+3dBmsignal,themultiplierprovides+13dBmtypicaloutputpowerfrom32to46GHz.TheFoisolationis>25dBcat38GHz.TheHMC579isidealforuseinLOmultip	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC579	文件：298.2 Kbytes Page：6 Pages	TestInstrumentation GeneralDescription TheHMC579dieisax2activebroadbandfrequencymultiplierutilizingGaAsPHEMTtechnology.Whendrivenbya+3dBmsignal,themultiplierprovides+13dBmtypicaloutputpowerfrom32to46GHz.TheFoisolationis>25dBcat38GHz.TheHMC579isidealforuseinLOmultip	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC579	文件：863.44 Kbytes Page：9 Pages	TestInstrumentation GeneralDescription TheHMC579dieisax2activebroadbandfrequencymultiplierutilizingGaAsPHEMTtechnology.Whendrivenbya+3dBmsignal,themultiplierprovides+13dBmtypicaloutputpowerfrom32to46GHz.TheFoisolationis>25dBcat38GHz.TheHMC579isidealforuseinLOmultip	MICROSS Micross Components	MICROSS
HMC579	文件：217.64 Kbytes Page：6 Pages	GaAsMMICx2ACTIVEFREQUENCYMULTIPLIER,32-46GHzOUTPUT	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
K579	文件：1.0861 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
K579S	文件：1.08609 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTE579	文件：15.98 Kbytes Page：1 Pages	SiliconAxialLeadRectifier Description: TheNTE579isaSchottkyBarrierRectifierinaDO27typeaxialleadpackagedesignedforuseinlow–voltage,highfrequencyinverters,freewheelingdiodes,andpolarityprotectiondiodes. Features: ●LowReverseCurrent ●LowStoredCharge,MajorityCarrierConduction ●LowPow	NTE NTE Electronics	NTE
RPI-579	文件：66.36 Kbytes Page：2 Pages	Photointerrupter,Generaltype Features 1)Heatresistance(170°C). 2)Smallgap(0.5mm)andgoodaccuracy. 3)Quickresponsetime. 4)Filteragainstvisiblerayisbuilt-in. Applications Printers Facsimiles AVequipment	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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