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CH3820	文件：111.5 Kbytes Page：3 Pages	PCIE Bus SubsIdIary and PrIntout chip	WCHJiangsu Qinheng Co. , Ltd. 南京沁恒江苏沁恒股份有限公司	WCH
CH382L	文件：111.5 Kbytes Page：3 Pages	PCIE Bus SubsIdIary and PrIntout chip	WCHJiangsu Qinheng Co. , Ltd. 南京沁恒江苏沁恒股份有限公司	WCH
382	文件：92.43 Kbytes Page：2 Pages	SUBMINIATUREFUSES	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
382X	文件：307.25 Kbytes Page：1 Pages	POWERTRANSFORMER	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
AC382	文件：175.79 Kbytes Page：2 Pages	TO-8CASCADABLEAMPLIFIERS	TELEDYNE TELEDYNE	TELEDYNE
AD382	文件：184.28 Kbytes Page：3 Pages	HighSpeed,LowDriftFETOperationalAmplifier Scope. Thisspecificationcoversthedevicerequirementsforahighspeed,lowdriftFETinputoperationalamplifier.	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD382SH	文件：184.28 Kbytes Page：3 Pages	HighSpeed,LowDriftFETOperationalAmplifier Scope. Thisspecificationcoversthedevicerequirementsforahighspeed,lowdriftFETinputoperationalamplifier.	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ASJ382	文件：156.79 Kbytes Page：1 Pages	2.6mm&3.5mmAUDIOJACKSSTEREO&MONOEARPHONEJACKS	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
BAS382	文件：125.76 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAS382	文件：126.55 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAS382	文件：50.47 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiodes Features •Integratedprotectionringagainststaticdischarge •Lowcapacitance •Lowleakagecurrent •Lowforwardvoltagedrop •Verylowswitchingtime •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications •Genera	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAS382	文件：165.81 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAS382	文件：151.54 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAS382	文件：90.68 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes FEATURES •Integratedprotectionringagainststatic discharge •Lowcapacitance •Lowleakagecurrent •Lowforwardvoltagedrop •Verylowswitchingtime •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Generalpurposeandsw	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAS382-TR	文件：126.55 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAS382-TR	文件：125.76 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BR382/D	文件：1.09372 Mbytes Page：101 Pages	24-BITDIGITALSIGNALPROCESSOR FEATURES DigitalSignalProcessingCore •Efficient,objectcodecompatible,24-bit56000familyDSPengine •Upto16.5MillionInstructionsPerSecond(MIPS)—60.6nsinstructioncycleat33MHz •Upto99MillionOperationsPerSecond(MOPS)at33MHz •Executesa1024-pointcomplexFastFo	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BUL382	文件：256.29 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector–EmitterSustainingVoltage:VCEO(SUS)=400V(Min.) ·LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=0.5V(Max)@IC=1A ·VeryHighSwitchingSpeed APPLICATIONS ·Designedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitchmodepowersupplies.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUL382	文件：72.82 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheBUL381andBUL382manufacturedusinghighvoltageMultiepitaxialMesatechnologyfor cost-effectivehighperformance.TheyuseaHollowEmitterstructuretoenhanceswitching speeds.TheBULseriesisdesignedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitch-modepower	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BUL382D	文件：79.78 Kbytes Page：6 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION TheBUL381DismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandhighvoltagecapability.TheBULseriesisdesignedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitch-modepowersupplies. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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更多CH382供应商更新时间2024-6-4 14:19:00

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