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CHDTC314TKPT	文件：92.5 Kbytes Page：3 Pages	NPNDigitalSiliconTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT600mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SOT-23) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation(VCE(sat)=40mV atIC/IB=50mA/2.5mA). HighCollectorcurrent(IC(Max.)=600mA). InternalisolatedNPNtrans	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTC314TUPT	文件：93.44 Kbytes Page：3 Pages	NPNDigitalSiliconTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT600mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-70/SOT-323) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation(VCE(sat)=40mV atIC/IB=50mA/2.5mA). HighCollectorcurrent(IC(Max.)=600mA). InternalisolatedNP	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CL314	文件：68.95 Kbytes Page：2 Pages	SILICONTRANSISTORS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
CL314	文件：118.16 Kbytes Page：2 Pages	WhitetranslucenthighimpactUVstabilizedacryliclens	LUMINIS Lumins Inc.	LUMINIS
CMD314	文件：172.13 Kbytes Page：11 Pages	DC-10GHzDistributedDriverAmplifier	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
CMD314	文件：346.22 Kbytes Page：12 Pages	DC-10GHzDistributedDriverAmplifier	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
CP314	文件：211.04 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalTransistorNPN-HighCurrentTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize40x40MILS DieThickness9.0MILS BaseBondingPadArea7.9x8.7MILS EmitterBondingPadArea9.0x14MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-18,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CP314V	文件：463.1 Kbytes Page：2 Pages	NPN-HighCurrentTransistorChip PROCESSCP314V SmallSignalTransistor NPN-HighCurrentTransistorChip	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CR314	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUMPNPTRANSISTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
CSS-314E	文件：190.49 Kbytes Page：6 Pages	0.30InchSingleDigitDisplay	CHINASEMI China Semiconductor Corporation	CHINASEMI

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