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CGHV35120F	文件：837.74 Kbytes Page：12 Pages	120 W, 2.9 - 3.8 GHz, 50 V, GaN HEMT for S-Band Radar Systems Description Wolfspeed’s CGHV35120F is a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT)designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the CGHV35120F ideal for 2.9 - 3.8 GHz S-Band radar amplifier applications. The transistor i 文件：837.74 Kbytes 页数：12 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
CGHV35120F	文件：300 bytes Page：1 Pages	120 W; 2.9 - 3.8 GHz; 50 V; GaN HEMT for S-Band Radar Systems The CGHV35120F is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) designed specifically for high efficiency; high gain; and wide bandwidth capabilities; which makes CGHV35120F ideal for 2.9 - 3.8 GHz Radar amplifier applications. The transistor is supplied in a ceramic/metal flange ·Rated Power = 120 W @ TCASE = 85°C\n·Operating Frequency = 2.9 – 3.8 GHz\n·Rated Power = 120 W @ TCASE = 85°C\n·Rated Power = 120 W @ TCASE = 85°C\n·Rated Power = 120 W @ TCASE = 85°C\n·Input Matched\n·<0.3 dB Pulsed Amplitude Droop;	MACOM	MACOM
R35120	文件：119.09 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Power Rectifier Silicon Power Rectifier ● Low Forward Voltage ● Glass to Metal Construction ● Glass Passivated Die ● Excellent Reliability ● VRRM to 1600V ● 1050 Amps Surge Rating 文件：119.09 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
RD35120K	文件：670.06 Kbytes Page：8 Pages	RADIAL LEADED INDUCTORS 文件：670.06 Kbytes 页数：8 Pages	ABCO	ABCO
S35120	文件：119.09 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Power Rectifier Silicon Power Rectifier ● Low Forward Voltage ● Glass to Metal Construction ● Glass Passivated Die ● Excellent Reliability ● VRRM to 1600V ● 1050 Amps Surge Rating 文件：119.09 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

技术参数

Min Frequency(MHz)：
3100
Max Frequency(MHz)：
3500
Peak Output Power(W)：
120
Gain(dB)：
12.8
Efficiency(%)：
62
Operating Voltage(V)：
50
Form：
Packaged Discrete Transistor
Package Category：
Flange
Technology：
GaN-on-SiC

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