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CGHV14800F数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
CGHV14800F |
| 参数属性 | CGHV14800F 封装/外壳为440117；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF MOSFET HEMT 50V 440117 |
| 功能描述 | 800 W; 1200 - 1400 MHz; GaN HEMT for L - Band Radar Systems |
| 封装外壳 | 440117 |
| 制造商 | MACOM Tyco Electronics |
| 中文名称 | 玛科姆技术方案控股有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 18:17:00 |
| 人工找货 | CGHV14800F价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
CGHV14800F规格书详情
描述 Description
The CGHV14800 is a gallium-nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency; high gain and wide bandwidth capabilities; which makes the CGHV14800 ideal for 1.2 - 1.4 GHz L-Band radar-amplifier applications. The package options are ceramic/metal flange (CGHV14800F) and pill package (CGHV14800P).
特性 Features
·910 W Typical Output Power
·14 dB Power Gain
·70% Typical Drain Efficiency
·<0.3 dB Pulsed Amplitude Droop
·Internally input and output matched
应用 Application
·Air traffic control (ATC) radar, weather radar, penetration radars, antimissile system radars, target tracking radars and long range survelliance radars
技术参数
- 制造商编号
：CGHV14800F
- 生产厂家
：MACOM
- Min Frequency(MHz)
：1200
- Max Frequency(MHz)
：1400
- Peak Output Power(W)
：800
- Gain(dB)
：16.0
- Efficiency(%)
：65
- Operating Voltage(V)
：50
- Form
：Packaged Discrete Transistor
- Package Category
：Flange
- Technology
：GaN-on-SiC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CREE(科锐) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
CREE |
638 |
原装正品 |
询价 | ||||
Wolfspeed Inc. |
25+ |
12-VFDFN 裸露焊盘 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
CREE |
25+ |
TO-59 |
200 |
原装正品特价销售 |
询价 | ||
Wolfspeed |
24+ |
SMD |
8000 |
射频结栅场效应晶体管 |
询价 | ||
Wolfspeed |
25+ |
Tube |
4430 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
Cree/Wolfspeed |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | |||
CREE |
17+ |
BGA |
60000 |
保证原装进口现货可开17%增值税发票 |
询价 | ||
CREE |
24+ |
N/A |
90000 |
进口原装现货假一罚十价格合理 |
询价 | ||
CREE |
2023+ |
N/A |
8700 |
原装现货 |
询价 |
