90 W, RF Power GaN HEMT

Description Cree’s CGH40090PP is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CGH40090PP, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high gain

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Package：440199；包装：托盘 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 描述：RF MOSFET HEMT 28V 440199

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包装：散装 类别：开发板，套件，编程器 射频评估和开发套件，开发板 描述：CGH40090PP DEV BOARD WITH HEMT

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包装：散装 类别：开发板，套件，编程器 射频评估和开发套件，开发板 描述：BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40090

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