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CGH40090PP	文件：1.69173 Mbytes Page：13 Pages	90 W, RF Power GaN HEMT Description Cree’sCGH40090PPisanunmatched,galliumnitride(GaN)high electronmobilitytransistor(HEMT).TheCGH40090PP,operating froma28voltrail,offersageneralpurpose,broadbandsolution toavarietyofRFandmicrowaveapplications.GaNHEMTs offerhighefficiency,highgain	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
CGH40090PP	文件：1.43751 Mbytes Page：13 Pages	90 W, RF Power GaN HEMT	CreeCree, Inc 科锐	Cree
CGH40090PP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：440199；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：RF MOSFET HEMT 28V 440199	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
CGH40090PP-AMP	文件：1.43751 Mbytes Page：13 Pages	90 W, RF Power GaN HEMT	CreeCree, Inc 科锐	Cree
CGH40090PP-TB	文件：1.43751 Mbytes Page：13 Pages	90 W, RF Power GaN HEMT	CreeCree, Inc 科锐	Cree
CGH40090PP-AMP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板描述：CGH40090PP DEV BOARD WITH HEMT	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
CGH40090PP-TB	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板描述：BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40090	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED

更多CGH40090PP供应商更新时间2022-6-12 10:12:00