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CGH25120F数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

CGH25120F

参数属性

CGH25120F 封装/外壳为440162;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:120W GAN HEMT 28V 2.5-2.7GHZ FET

功能描述

120 W; 2300 - 2700 MHz; GaN HEMT for WiMAX and LTE

封装外壳

440162

制造商

MACOM Tyco Electronics

中文名称

玛科姆技术方案控股有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 16:55:00

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CGH25120F规格书详情

描述 Description

The CGH25120F is a gallium-nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically for high efficiency; high gain and wide bandwidth capabilities; which makes the CGH25120F ideal for 2.3-2.7GHz WiMAX; LTE and BWA amplifier applications. The transistor is supplied in a ceramic/metal flange package.

特性 Features

·2.3 – 2.7 GHz Operation
·13 dB Gain
·-32 dBc ACLR at 20 W PAVE
·30 % Efficiency at 20 W PAVE
·High Degree of DPD Correction Can be Applied

应用 Application

·MC-GSM, WCDMA and LTE Amplifiers

技术参数

  • 制造商编号

    :CGH25120F

  • 生产厂家

    :MACOM

  • Min Frequency(MHz)

    :2500

  • Max Frequency(MHz)

    :2700

  • Peak Output Power(W)

    :120

  • Gain(dB)

    :7.0

  • Efficiency(%)

    :30

  • Operating Voltage(V)

    :28

  • Form

    :Packaged Discrete Transistor

  • Package Category

    :Flange

  • Technology

    :GaN-on-SiC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CREE/科锐
23+
20
10000
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CREE
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