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CGH21120F中文资料120-W, 1800 – 2300-MHz, GaN HEMTfor WCDMA, LTE, WiMAX数据手册MACOM规格书

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厂商型号

CGH21120F

参数属性

CGH21120F 封装/外壳为440162;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:120W, GAN HEMT, 28V, 1.8-2.1GHZ,

功能描述

120-W, 1800 – 2300-MHz, GaN HEMTfor WCDMA, LTE, WiMAX

封装外壳

440162

制造商

MACOM Tyco Electronics

数据手册

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更新时间

2025-9-23 10:28:00

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CGH21120F规格书详情

描述 Description

1.8 – 2.3 GHz Operation15 dB Gain-35 dBc ACLR at 20 W PAVE35 % Efficiency at 20 W PAVEHigh Degree of DPD Correction Can be Applied

特性 Features

• 1.8 – 2.3 GHz Operation
• 15 dB Gain
• -35 dBc ACLR at 20 W PAVE
• 35 % Efficiency at 20 W PAVE
• High Degree of DPD Correction Can be Applied

应用 Application

• WCDMA
• LTE
• WiMAX

技术参数

  • 制造商编号

    :CGH21120F

  • 生产厂家

    :MACOM

  • Application

    :28-V Telecom

  • Operating Voltage

    :28 V

  • Frequency

    :1.8 - 2.3 GHz

  • Package Type

    :Flange

  • Efficiency

    :35 % @ 20 W PAVE

  • Gain

    :15 dB

  • ACLR

    :-35 dBc @ 20 W PAVE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CREE
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