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CGH09120F数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

CGH09120F

参数属性

CGH09120F 封装/外壳为440095;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF MOSFET HEMT 28V 440095

功能描述

120-W; UHF – 2.5-GHz; GaN HEMT for WCDMA; LTE; MC-GSM

封装外壳

440095

制造商

MACOM Tyco Electronics

中文名称

玛科姆技术方案控股有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:10:00

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CGH09120F规格书详情

描述 Description

The  CGH09120F is a gallium-nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT) designed specifically for high-efficiency; high-gain and wide-bandwidth capabilities; which makes the CGH09120F ideal for MC-GSM; WCDMA and LTE amplifier applications. The transistor is supplied in a ceramic/metal flange package. 

特性 Features

·UHF – 2.5 GHz Operation
·21 dB Gain
·-38 dBc ACLR at 20 W PAVE
·35 % Efficiency at 20 W PAVE
·High Degree of DPD Correction Can be Applied

应用 Application

·WiMAX
·BWA
·LTE

技术参数

  • 制造商编号

    :CGH09120F

  • 生产厂家

    :MACOM

  • Min Frequency (MHz)

    :0

  • Max Frequency(MHz)

    :2500

  • Gain(dB)

    :21.0

  • Efficiency(%)

    :35

  • Operating Voltage(V)

    :28

  • Form

    :Packaged Discrete Transistor

  • Peak Output Power(W)

    :120

  • Technology

    :GaN on SiC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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