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FDC634P	文件：71.45 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseP-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDC634P	文件：138.51 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMMT634	文件：104 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTOR FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION HighestcurrentcapabilitySOT23Darlington *VeryhighhFE-specifiedat2A(5Kminimum) -typically600at5A	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT634	文件：37.61 Kbytes Page：2 Pages	PowerDarlingtonTransistor Features ●625mWpowerdissipation ●HighestcurrentcapabilitySOT23darlington ●VeryhighhFE	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FMMT634	文件：115.32 Kbytes Page：3 Pages	?쏶uperSOT??SOT23NPNSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTOR Features •BVCEO>100V •IC=900mAhighContinuousCollectorCurrent •ICM=5APeakPulseCurrent •625mWPowerdissipation •hFE>5kupto2Aforhighcurrentgainholdup •ComplementaryPNPType:FMMT734 •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •Halogenand	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT634	文件：296.92 Kbytes Page：7 Pages	100VNPNDARLINGTONTRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>100V •IC=900mAhighContinuousCollectorCurrent •ICM=5APeakPulseCurrent •625mWPowerdissipation •hFE>5kupto2Aforhighcurrentgainholdup •ComplementaryPNPType:FMMT734 •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •Halogenand	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT634Q	文件：612.84 Kbytes Page：7 Pages	100VNPNDARLINGTONTRANSISTORINSOT23 Features BVCEO>100V IC=900mAHighContinuousCollectorCurrent ICM=5APeakPulseCurrent 625mWPowerDissipation hFE>5kupto2AforHighCurrentGainHoldup ComplementaryPNPType:FMMT734Q TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT634QTA	文件：612.84 Kbytes Page：7 Pages	100VNPNDARLINGTONTRANSISTORINSOT23 Features BVCEO>100V IC=900mAHighContinuousCollectorCurrent ICM=5APeakPulseCurrent 625mWPowerDissipation hFE>5kupto2AforHighCurrentGainHoldup ComplementaryPNPType:FMMT734Q TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT634TA	文件：296.92 Kbytes Page：7 Pages	100VNPNDARLINGTONTRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>100V •IC=900mAhighContinuousCollectorCurrent •ICM=5APeakPulseCurrent •625mWPowerdissipation •hFE>5kupto2Aforhighcurrentgainholdup •ComplementaryPNPType:FMMT734 •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •Halogenand	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FRJAE-634	文件：117.17 Kbytes Page：1 Pages	FRJAEASSEMBLY6POSITION&8POSITIONWITHORWITHOUTFERRITESSINGLEPORTHIGHTEMPMATERIAL	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL

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