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CEP13N65S	文件：717.4 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：717.4 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP13N65S	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
CEP14A04	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO251	CET 华瑞上传：深圳市尼博电子有限公司	CET
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CEP25A03	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO251	CET 华瑞上传：深圳市尼博电子有限公司	CET

技术参数

BVDSS(V)：
650
Rds(on)mΩ@10V：
320
ID(A)：
13.8
Qg(nC)@10V(typ)：
25
RθJC(℃/W)：
0.78
Pd(W)：
160
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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